Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications

著者	Rahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata.
掲載誌名	ECS Transactions 147-150
出版社	The Electrochemical Society
発表年	2021
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1149/10202.0147ecst
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