HOME > 論文 > 書誌詳細Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial FilmsRahmat Hadi Saputro, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Crystal Growth & Design 21 [11] 6523-6528. 2021.https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c00966 NIMS著者サプトロ ラハマト ハディ松村 亮深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-11-11 03:37:05 +0900更新時刻: 2024-11-14 04:40:00 +0900
