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長岡 克己
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論文 TSV

2020
  1. Katsumi Nagaoka, Shun-ichiro Ohmi. Bias-voltage-dependent measurement of apparent barrier height on low-work-function thin film. Journal of Vacuum Science & Technology B. 38 [6] (2020) 062801 10.1116/6.0000436
2014
  1. Katsumi Nagaoka, Shin Yaginuma, Tomonobu Nakayama. STS Study of 2D Subband State Formed in the Space Charge Layer of Si(111)-β√3 × √3-Bi. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 12 [0] (2014) 217-220 10.1380/ejssnt.2014.217
  2. Katsumi Nagaoka, Shin Yaginuma, Tomonobu Nakayama. Phase-operation for conduction electron by atomic-scale scattering via single point-defect. Applied Physics Letters. 104 [11] (2014) 111602 10.1063/1.4869352
2011
  1. Adelina Ilie, James S. Bendall, Katsumi Nagaoka, Stefan Egger, Tomonobu Nakayama, Simon Crampin. Encapsulated Inorganic Nanostructures: A Route to Sizable Modulated, Noncovalent, On-Tube Potentials in Carbon Nanotubes. ACS Nano. 5 [4] (2011) 2559-2569 10.1021/nn102189w
2008
  1. Shin Yaginuma, Katsumi Nagaoka, Tadaaki Nagao, Gustav Bihlmayer, Yury M. Koroteev, Eugene V. Chulkov, Tomonobu Nakayama. Electronic Structure of Ultrathin Bismuth Films with A7 and Black-Phosphorus-like Structures. Journal of the Physical Society of Japan. 77 [1] (2008) 014701 10.1143/jpsj.77.014701
2007
  1. S. Yaginuma, T. Nagao, J.T. Sadowski, M. Saito, K. Nagaoka, Y. Fujikawa, T. Sakurai, T. Nakayama. Origin of flat morphology and high crystallinity of ultrathin bismuth films. Surface Science. 601 [17] (2007) 3593-3600 10.1016/j.susc.2007.06.075
2005
  1. M. Grobis, K. H. Khoo, R. Yamachika, Xinghua Lu, K. Nagaoka, Steven G. Louie, M. F. Crommie, H. Kato, H. Shinohara. Spatially dependent inelastic tunneling in a single metallofullerene. Physical Review Letters. 94 [13] (2005) 136802 10.1103/physrevlett.94.136802
  2. K. Nagaoka, M. J. Comstock, A. Hammack, M. F. Crommie. Observation of spatially inhomogeneous electronic structure of Si(100) using scanning tunneling spectroscopy. Physical Review B. 71 [12] (2005) 121304 10.1103/physrevb.71.121304

書籍 TSV

口頭発表 TSV

2022
  1. 長岡 克己, 相澤 俊, 大見俊一郎. 表面熱析出法を用いた 単原子層h-BN薄膜/LaB6ヘテロ構造の作製とその評価. シリコン材料・デバイス研究専門委員会(プロセス科学と新プロセス技術 ). 2022
2015
  1. 長岡 克己, 内橋 隆, 中山 知信. 絶縁性Bi超薄膜におけるのエッジ近傍のラテラルバンドベンディング. 15th International Conference on the Formation of Semiconductor . 2015
  2. 繆 滌 霏, 新ヶ谷 義隆, 樋口 倫太郎, 藤森 利彦, 長岡 克己, 金子 克美 , 中山 知信. 硫黄原子鎖内包単層カーボンナノチューブの電気的特性. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  3. 長岡 克己, 柳沼晋, 中山 知信. STM探針を用いたCuPc分子の凝集・拡散制御. MANA International Symposium 2015. 2015
2009
  1. 柳沼 晋, 長岡 克己, 中山 知信. STM探針による分子ナノドメインの操作. ナノ学会第7回大会. 2009
  2. 柳沼 晋, 長岡 克己, 中山 知信. STM探針による分子ナノドメインの操作. ナノ学会第7回大会. 2009
  3. 柳沼 晋, 長岡 克己, 長尾 忠昭, 中山 知信. 分子ナノドメインのSTM探針による操作. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
2007
  1. 長岡 克己, 柳沼 晋, 長尾 忠昭, アデリーナ アイリィ, 青野 正和, 中山 知信. 低次元ナノ構造における電子状態のSTM観察. “新しいナノエレクトロニクスを拓くために” JST/ICORP型研究 ナノ. 2007
  2. 長岡 克己, 柳沼 晋, 長尾 忠昭, 中山 知信. Si(111)-β-√3×√3 -Bi表面における2次元電子状態のSTM観察. ACSIN-9. 2007
  3. 長岡 克己, 柳沼 晋, 長尾 忠昭, 中山 知信. 半導体表面に形成された低次元電子状態のSTM観察. 物性研短期研究会「低温走査トンネル顕微鏡の現状と展望」. 2007
  4. 長岡 克己, 柳沼 晋, 長尾 忠昭, 中山 知信. Si(111)-β-√3×√3 -Bi表面における2次元電子状態のSTM観察. 第62回日本物理学会年次大会. 2007
  5. 柳沼 晋, 長尾 忠昭, 長岡 克己, 中山 知信. Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の構造安定性及び成長機構の研究. ナノ学会第5回大会. 2007
  6. 柳沼 晋, 長岡 克己, 長尾 忠昭, 斎藤峯雄, Yu. M. KOROTEEV, G. BIHLMAYER, E. V. CHULKOV, 中山 知信. Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II. 日本物理学会 2007年春季大会. 2007

その他の文献 TSV

2006
  1. NAGAOKA, Katsumi, YAGINUMA, Shin, NAGAO, Tadaaki, NAKAYAMA, Tomonobu. Visualizing and exploring local electronic structure of a quantum point contact with STM. Result of the Month, Omicron NanoTechnology. (2006) 9999-9999
  2. NAGAOKA, Katsumi, YAGINUMA, Shin, NAGAO, Tadaaki, NAKAYAMA, Tomonobu. Local electronic structure of a quantum point contact observed with STM. Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology. (2006)

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6331903号 電子半透鏡デバイス (2018)
  2. 特許第4997633号 ナノアクチュエータ (2012)
公開特許出願
  1. 特開2023045834号 積層体、積層体を含む電子源及び電子デバイス、並びに積層体の製法及び浄化方法 (2023)
外国特許
  1. No. JP2016058566A ELECTRONIC SEMI-TRANSPARENT MIRROR DEVICE (2016)

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