遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を中心とした二次元薄膜材料を用いて機能性デバイスを作製した。図はn型半導体としてReS2をp型半導体としてWSe2を用いて、これらをドライ転写法により積層させてチャネル中心にヘテロジャンクションを形成したデバイスである。このデバイスはゲート電圧操作によってドレイン電流が急激に増減するアンチアンバイポーラ特性を示す。ゲート電極を上下に配置しデュアルゲート型AATとした。上下のゲート電極を入力とし、ドレイン電流を出力とすることによって、論理演算回路として動作させることに成功した。図は入力電力を最適化することによって、単一素子でありながらAND, OR, NAND, NOR, XOR, XNORの6種類の論理演算動作を行うことができることを表している。この結果は論理演算回路設計の大幅な簡素化に寄与する。４本の原子間力顕微鏡プローブを独立に駆動してナノスケールの精度で任意位置に配置できるマルチプローブ原子間力顕微鏡(MP-AFM)を構築した。蒸着による金属電極の取り付けを行わずに新規ナノ材料の電気伝導特性を直接計測することが可能である。このMP-AFMは真空中・大気中・溶液中で動作させることができ、様々な環境下でのナノ材料の電気特性を評価できる。図は真空中における単一単層カーボンナノチューブの４探針計測を表している。酸素欠損面を有する導電性の酸化タングステン(WOx)ナノロッドに非常に大きいラマン散乱増強効果があることを見いだし、これを用いた単分子識別検出ナノプローブを開発している。