低仕事関数材料は、電子を取り出しやすい特徴から、半導体、もしくは、真空との界面で用いる電子材料として、大きな優位性をもつ。その一方、その特徴により、容易に雰囲気ガスと反応し変化してしまうため、現状、応用範囲が限られている。この相矛盾する問題を解決するため、我々は、低仕事関数と高い化学的安定性を有する、厚さ20nmの単層h-BN／LaB6薄膜を開発した。このヘテロ構造膜は、窒素ドープLaB6薄膜を真空アニールすることで形成できる。この材料開発により、低仕事関数材料の実用化の促進が期待される。

作成時刻: 2024-06-24 03:12:54 +0900更新時刻: 2025-01-01 04:29:31 +0900