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特許から探す
最終更新時刻: 2026-11-08 03:07:48 +0900
| 4464件の特許公開公報が見つかりました。公報は出版年月日順に表示しています。（ヘルプ） | |
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| 反応促進剤、反応促進方法、複合体、および複合体の製造方法 (2024, 特開2024120286号 ) 機構所属の発明者: 江口 美陽 | |
| ＧａＮ結晶および基板 (2024, 20210125551 CN113454272 EP3929336 US20210384336 KR20210125551 USS20210384336 WO2020171147 特開2024121016号 202100827 ) 機構所属の発明者: 大島 祐一 | |
| ペロブスカイト太陽電池およびその製造方法 (2024, 特開2024119749号 ) 機構所属の発明者: 白井 康裕 , 柳田 真利 , カダカ ビ ドゥラバ , 宮野 健次郎 | |
| 含フッ素低分子化合物の吸着方法 (2024, 特開2024119595号 , 特許7679039号 ) 機構所属の発明者: 一ノ瀬 泉 | |
| 結晶性酸化物半導体の製法、結晶基板、及び半導体装置 (2024, WO2024176951 ) 機構所属の発明者: 大島 祐一 | |
| 高記録密度磁性層用材料、磁気抵抗記憶素子、及び高記録密度磁性層用材料の製造方法 (2024, WO2024176918 ) 機構所属の発明者: 増田 啓介 , 三浦 良雄 | |
| ゲル化剤、ゲル組成物、細胞足場材料、及び医療材料 (2024, 特開2024115643号 ) 機構所属の発明者: 西口 昭広 | |
| 磁気冷凍装置 (2024, 特開2024113734号 ) 機構所属の発明者: 神谷 宏治 , 沼澤 健則 | |
| 金属イオンでドープされた六方晶窒化ホウ素膜とその作製方法、および六方晶窒化ホウ素膜を有する半導体素子と電子デバイス (2024, 特開2024112751号 ) 機構所属の発明者: 谷口 尚 | |
| 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 (2024, 特開2024111577号 , 特許7369409号 ) 機構所属の発明者: 廣崎 尚登 |