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2025
- HOSOI, Takuji. SiO2/SiC interface engineering via low temperature NO oxynitridation of SiC surface feasible with Si device fabrication equipment. The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2025). 2025
- 森本 修太, 津田 龍之介, 細井 卓治. Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025
- 香取 拓真, 細井 卓治. 低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025
