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論文 TSV

書籍 TSV

会議録 TSV

口頭発表 TSV

2025
  1. HOSOI, Takuji. SiO2/SiC interface engineering via low temperature NO oxynitridation of SiC surface feasible with Si device fabrication equipment. The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2025). 2025
  2. 森本 修太, 津田 龍之介, 細井 卓治. Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025
  3. 香取 拓真, 細井 卓治. 低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025

その他の文献 TSV

公開特許出願 TSV

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