- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
学生受け入れ中
外部併任先
- 関西学院大学 大学院理工学研究科 客員教授
- 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 招聘教授
研究内容
- Keywords
MOSトランジスタ、CMOS、パワーデバイス、ゲート絶縁膜、界面準位、ワイドバンドギャップ
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
口頭発表
- HOSOI, Takuji. SiO2/SiC interface engineering via low temperature NO oxynitridation of SiC surface feasible with Si device fabrication equipment. The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2025). 2025
- 森本 修太, 津田 龍之介, 細井 卓治. Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025
- 香取 拓真, 細井 卓治. 低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025
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