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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
学生受け入れ中
外部併任先
- 関西学院大学 大学院理工学研究科 客員教授
- 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 招聘教授
研究内容
- Keywords
MOSFET、トランジスタ、CMOS、ゲート絶縁膜、界面準位、SiC
スマートフォンやパソコンの頭脳である半導体論理集積回路を構成するMOSトランジスタは、従来の平面型からフィン型（FinFET）、さらにはナノシートを積層した3次元構造（GAA）へと進化しています。ナノシートは薄いほど短チャネル効果を抑制できますが、これまでずっと使われてきたSiのナノシートでは厚さが4 nm以下になると、微細な厚みの不均一性によってキャリア移動度が著しく劣化する課題があります。そのため、3 nm以下の厚さで高キャリア移動度をもつナノシート材料が求められており、原子レベルで平坦な2次元材料（例：遷移金属ダイカルコゲナイド MoS2やWSe2など） が期待されています。
また、平面に並べていたpチャネルトランジスタとnチャネルトランジスタを上下に積層し、集積度を飛躍的に向上させる「CFET」が 2030年代中頃の量産化に向け、世界中で活発な研究開発が行われています。 しかし、ロードマップでは、SiベースのCFET量産化からあまり間を開けることなく、2040年代前半にはチャネル材料が2次元材料へ移行することとなっており、 今から新材料の導入を見据えたCFET製造技術の研究開発を行う必要があります。私たちは、JST次世代エッジAI半導体研究開発事業（テーマ③次世代トランジスタ技術）に参画し、 「新材料CFET製造基盤」の構築に邁進しています。
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
所属学会
応用物理学会, IEEE Electron Device Society
受賞履歴
- Applied Physics Express: Outstanding Reviewer Awards 2023, IOP Science (2023)
- IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award, IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter (2019)
- 第15回 APEX/JJAP編集貢献賞, 公益社団法人応用物理学会 (2017)
- 第4回（平成27年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門), 大阪大学 (2015)
- 第2回（平成25年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門), 大阪大学 (2013)
- IEEE EDS Japan Chapter Student Award (2002), IEEE EDS Japan Chapter (2003)
外部資金獲得履歴
- JST・次世代エッジAI半導体研究開発事業・テーマ③次世代トランジスタ技術・研究分担者 「新構造・新材料トランジスタと低抵抗配線の研究開発」（代表者：多田宗弘（慶應義塾大学）） (2025)
- 科研費・基盤研究(B) ・研究代表者「熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現」 (2024)
- 科研費・基盤研究(B) ・研究代表者「GeSn赤外センシングプラットフォームの創出」 (2020)
- 科研費・若手研究(A) ・研究代表者「ショットキー接合型SiCプラズモニックトランジスタの創製」 (2012)
- 科研費・若手研究(B) ・研究代表者 (2009)
- EDO平成19年度採択産業技術研究助成事業・研究代表者「次世代半導体デバイス特性劣化の物理モデルに基づくプロセスガイドラインと信頼性評価手法の開発」 (2007)
この機能は所内限定です。
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