- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
学生受け入れ中
外部併任先
- 関西学院大学 大学院理工学研究科 客員教授
- 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 招聘教授
研究内容
- Keywords
MOSトランジスタ、CMOS、パワーデバイス、ゲート絶縁膜、界面準位、ワイドバンドギャップ
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe. Optical and electrical properties of nearly intrinsic GeSn wires on quartz fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization. Materials Science in Semiconductor Processing. 214 (2026) 110862 10.1016/j.mssp.2026.110862
口頭発表
- HOSOI, Takuji. Novel Gate Oxide Formation Approach Using Low-Temperature NO Oxynitridation for SiC MOSFETs. 249th ECS Meeting. 2026 招待講演
- 染谷 満, 平井 悠久, 熊谷 直樹, 矢野 裕司, 磯部 高範, 細井 卓治, 渡部 平司. 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証. 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会. 2026
- 志村 考功, HOSOI, Takuji, 小林 拓真, 渡部 平司. Optical Characteristics of Single-crystal GeSn Thin Wires Fabricated by Local Liquid Phase Crystallization. The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025). 2025 招待講演
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