HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] ＳｉＯ２／ＳｉＣ界面部に窒素を含む積層体の製造方法、積層体、及び金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ素子2026-04-28. 特開2026071175号 (Google Patents) NIMS著者細井 卓治作成時刻 :2026-05-02 03:07:08 +0900 更新時刻 :2026-05-02 03:07:08 +0900
