SiO2/SiC interface engineering via low temperature NO oxynitridation of SiC surface feasible with Si device fabrication equipment
The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2025). 2025年09月14日-2025年09月19日.
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作成時刻: 2025-09-30 03:14:27 +0900 更新時刻: 2025-09-30 03:14:27 +0900