口頭発表の一覧
最終更新時刻: 2026-11-04 06:46:27 +0900
| 90950件の発表が見つかりました。発表は出版年月日順に表示しています。（ヘルプ） | |
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| 小山 敏幸. フェーズフィールド解析とエージェントAIに基づく材料設計の加速. 日本磁気学会 第260回研究会/ 第19回エネルギーマグネティクス専門研究会. 2026 | |
| 小山 敏幸. AI エージェントと材料設計. 金属学会シンポジウム「状態図・熱力学は未踏領域へ進む」. 2026 | |
| FURUHARA, Tadashi. Importance of Boundary Segregation for Microstructure and Properties of Alloyed Steels. The 23rd Alloying Element Effects on Migrating Interfaces (ALEMI) Meeting. 2026 招待講演 | |
| 山崎 裕一. X線吸収分光で迫る交代磁性体の微視的起源. 日本磁気学会 第98回スピントロニクス専門研究会. 2026 招待講演 | |
| KOSASANG, Soracha. Controlling Microstructure in Metal–Organic Crystallized Glasses for Dielectric and Proton Conductivity. 25th International Conference on Solid State Ionics 2026 (SSI 25). 2026 | |
| ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Design of Interface Formation Process for Superior Ferroelectricity and Enhanced Fatigue Resistance in HfxZr1−xO2-Based Ferroelectric Devices. AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2026). 2026 | |
| 小山 敏幸. 材料デザイン革新理論と技術（生成 AI 分野との連携の視点より）. 日本学術会議 公開シンポジウム「材料工学中長期研究戦略」. 2026 | |
| ONAYA, Takashi, Haoming Che, 髙久 理名, 喜多 浩之, NABATAME, Toshihide. Design of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films and Interfaces Formation Process by Using Atomic Layer Deposition. 249th ECS Meeting. 2026 招待講演 | |
| 髙久 理名, 女屋 崇, 田村 敦史, 喜多 浩之. 強誘電HfxZr1-xO2薄膜における最表面ZrO2層駆動の結晶化促進メカニズムの理解. 第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. 2026 | |
| Haoming Che, ONAYA, Takashi, 田村 敦史, 石井 政輝, 髙 洋志, 喜多 浩之. Intrinsic superiority of H2O2 in promoting low temperature crystallization of ALD-grown HZO thin films over H2O. 第31回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－. 2026 | |
