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特許から探す

最終更新時刻: 2026-11-02 03:07:55 +0900

4464件の特許公開公報が見つかりました。公報は出版年月日順に表示しています。(ヘルプ)
アルミナ多孔質構造体の製造方法 (2008, 特開2008038237号 )
機構所属の発明者: 末原 茂
素子基板とその製造方法 (2008, 特開2008041709号 , 特許4919401号 )
機構所属の発明者: 菱田 俊一 , 大谷 茂樹 , 相澤 俊
強磁場磁石装置 (2008, 特開2008042119号 , 特許4883505号 )
機構所属の発明者: 大木 忍 , 清水 禎
半導体製造装置 (2008, 特開2008042002号 , 特許5071703号 )
機構所属の発明者: 佐久間 芳樹
配向性セラミックスの製造方法 (2008, 特開2008037064号 , 特許5008925号 )
機構所属の発明者: 目 義雄 , 鈴木 達
マイクロ流路チップ及びそれを用いた生体高分子の処理方法 (2008, 特開2008039541号 )
機構所属の発明者:
発光デバイス及び照明装置 (2008, WO02008020541 W02008020541 CN101501874 US20090146549 KR20090048589 TW200818553 USS20090146549 20090048589 200818553 )
機構所属の発明者: 廣崎 尚登
窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法、及び該窒化ホウ素薄膜エミッターを使用する電子放出方法 (2008, DE112005003033 US20080030152 WO2006068287 USS20080030152 )
機構所属の発明者: 岡田 勝行
硬質粒子打ち込みによる金属部材への元素拡散・注入方法 (2008, 特開2008024993号 )
機構所属の発明者:
真空プロセス用装置 (2008, 特開2008025017号 , 特許4505553号 )
機構所属の発明者: 角谷 正友

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