- 退職
- 2022年3月退職
研究内容
- Keywords
ZrB2、単結晶、基板
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Phonon dispersion of a two-dimensional boron sheet on Ag(111). Physical Review Materials. 5 [6] (2021) 10.1103/physrevmaterials.5.064004
- Naoki Ohashi, David Mora-Fonz, Shigeki Otani, Takeshi Ohgaki, Masashi Miyakawa, Alexander Shluger. Inverse Perovskite Oxysilicides and Oxygermanides as Candidates for Nontoxic Infrared Semiconductor and Their Chemical Bonding Nature. Inorganic Chemistry. 59 [24] (2020) 18305-18313 10.1021/acs.inorgchem.0c02897
- Ørjan Sele Handegård, Hai Dang Ngo, Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Tung Anh Doan, Furuhata Naoki, Shigeki Otani, Tadaaki Nagao. Epitaxial growth mechanism of high-crystallinity lanthanum hexaboride (001) thin films on silicon (001) by electron beam deposition. Applied Physics Express. 13 [5] (2020) 055504 10.35848/1882-0786/ab8728
書籍
- 大谷 茂樹. 鉱物合成法（単結晶作製法）. 朝倉書店, 2019, 2.
- 大谷 茂樹, 森 孝雄. ホウ化物. 日本化学会編 実験化学講座(丸善出版）. , 2005, 374-383.
会議録
- AIZAWA, Takashi, HISHITA, Shunichi, OTANI, Shigeki. The 2×2 oxidized layer on ZrB2(0001). APPLIED SURFACE SCIENCE. 2009, 1120-1123
- HAYAMI, Wataru, OTANI, Shigeki. Effect of the Surface Energy on the Growth of Boron Nanocrystals. Journal of Physics: Conference Series. 2009, 012017-1-012017-7
- Kazuyuki Edamoto , Hiroyuki Inomata, Toru Shimada, Ken-ichi Ozawa, OTANI, Shigeki. Valence and Core-Level Photoelectron Spectroscopy Study of the Electronic Structure of Ni2P(0001). e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2009, 1-6
口頭発表
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Synthesis and characterization of oxysilicides and oxygermanides in search for semiconductors with direct-transition-type band gaps in near infrared region. Materials Research Meeting 2021 (MRM2021). 2021
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Oxysiliside semiconductors, a candidate for non-toxic semiconductor for infrared optoelectronic applications. AMF-AMEC 2021. 2021
- HANDEGARD, Orjan Sele, DOAN, Tung Anh, NGO, Hai Dang , NGO, Duc Thien, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, OTANI, Shigeki, NAGAO, Tadaaki. Infrared Plasmonic Epitaxial LaB 6 Films for High-Temperature Thermal Emitters. Annual Meeting of The Japan Society of Vacuume and Surface Science 2020 /2020年日本表面真空学会. 2020
その他の文献
- 大谷 茂樹. 浮遊帯域溶融法等. セラミックスの事典. (2009) 9999-9999
- 大谷 茂樹. チョクラルスキー法等. 無機材料必須300―原理・物性・応用. (2008) 170-313
特許
- 特許第1184107号 炭化ジルコニウム結晶体の製造法 (1983)
- 特許第1184115号 炭化ハフニウム結晶体の製造法 (1983)
- 特許第1281948号 炭化タンタルの結晶体の製造法 (1985)
- 特開2004022500号 Ｘ線管のターゲット及びその製造方法 (2004)
- 特開2004083319号 二硼化物単結晶基板、それを用いた半導体レーザダイオード及び半導体装置並びにそれらの製造方法 (2004)
- 特開2007169083号 半導体結晶成長用炭化物単結晶基板 (2007)
所属学会
応用物理学会 日本セラミックス協会 日本化学会