- 退職
- 2022年3月退職
研究内容
- Keywords
ZrB2、単結晶、基板
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- SOUDA, Ryutaro, HAYAMI, Wataru, AIZAWA, Takashi, OTANI, Shigeki, 石澤芳夫. Electronic properties of ionic insulators on metal and semiconductor surfaces: RbCl on Si(100) and W(110). Journal of Vacuum Science and Technology A. (1993) 535
- AONO, Masakazu, SOUDA, Ryutaro, OTANI, Shigeki, 候印春, 大島忠平, 石澤芳夫, 松田泰二, 志水隆一. Interaction potential between He+ and Ti in a keV range as revealed by aspeialized tecnique in ion. Jpn.J.Appl.Phys. (1982) 670
- SOUDA, Ryutaro, 相澤俊, OTANI, Shigeki, 大島忠平, 石澤芳夫. Ion neutralization mediated by a molecular state:He+ on D-Covered TiC(111). Physical RevenB. (1990) 803
書籍
- 大谷 茂樹. 鉱物合成法（単結晶作製法）. 朝倉書店, 2019, 2.
- 大谷 茂樹, 森 孝雄. ホウ化物. 日本化学会編 実験化学講座(丸善出版）. , 2005, 374-383.
会議録
- HAYAMI, Wataru, OTANI, Shigeki. Effect of the Surface Energy on the Growth of Boron Nanocrystals. Journal of Physics: Conference Series. (2009) 012017-1-012017-7
- Kazuyuki Edamoto , Hiroyuki Inomata, Toru Shimada, Ken-ichi Ozawa, OTANI, Shigeki. Valence and Core-Level Photoelectron Spectroscopy Study of the Electronic Structure of Ni2P(0001). e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2009) 1-6
- Gasparov V.A., Ilya Sheikin, OTANI, Shigeki. Electron transport and superconducting properties of ZrB12 and YB6. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. (2007) 623-625
口頭発表
- 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. VB2(0001)表面上のSi吸着. 第14回日本ホウ素・ホウ化物研究会. 2022
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Synthesis and characterization of oxysilicides and oxygermanides in search for semiconductors with direct-transition-type band gaps in near infrared region. Materials Research Meeting 2021 (MRM2021). 2021
- 大橋 直樹, David Mora–Fonz, 大谷 茂樹, 和田 芳樹, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. Oxysiliside semiconductors, a candidate for non-toxic semiconductor for infrared optoelectronic applications. AMF-AMEC 2021. 2021
その他の文献
- 大谷 茂樹. 浮遊帯域溶融法等. セラミックスの事典. (2009) 9999-9999
- 大谷 茂樹. チョクラルスキー法等. 無機材料必須300―原理・物性・応用. (2008) 170-313
特許
- 特許第1853430号 チタン化合物フィールドエミッターの製造方法 (1994)
- 特許第1281948号 炭化タンタルの結晶体の製造法 (1985)
- 特許第4480298号 ホウ化物結晶とこれを用いた半導体層形成用基板並びにその製造方法 (2010)
- No: WO2021106376 化合物半導体組成物及び素子 (2021)
- 特開2004022500号 Ｘ線管のターゲット及びその製造方法 (2004)
- 特開2004083319号 二硼化物単結晶基板、それを用いた半導体レーザダイオード及び半導体装置並びにそれらの製造方法 (2004)
所属学会
応用物理学会 日本セラミックス協会 日本化学会