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研究内容
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ZrB2、単結晶、基板
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Two-dimensional silicon boride on ZrB2(0001). Physical Review Materials. 3 [1] (2019) 10.1103/physrevmaterials.3.014005
- M. Hiraishi, K. M. Kojima, I. Yamauchi, H. Okabe, S. Takeshita, A. Koda, R. Kadono, X. Zhang, S. Matsuishi, H. Hosono, K. Hirata, S. Otani, N. Ohashi. Electronic correlation in the quasi-two-dimensional electride Y2C. Physical Review B. 98 [4] (2018) 10.1103/physrevb.98.041104
- Koji Horiba, Ryu Yukawa, Taichi Mitsuhashi, Miho Kitamura, Takeshi Inoshita, Noriaki Hamada, Shigeki Otani, Naoki Ohashi, Sachiko Maki, Jun-ichi Yamaura, Hideo Hosono, Youichi Murakami, Hiroshi Kumigashira. Semimetallic bands derived from interlayer electrons in the quasi-two-dimensional electride Y2C. Physical Review B. 96 [4] (2017) 10.1103/physrevb.96.045101
会議録
- Kazuyuki Edamoto , Hiroyuki Inomata, Toru Shimada, Ken-ichi Ozawa, OTANI, Shigeki. Valence and Core-Level Photoelectron Spectroscopy Study of the Electronic Structure of Ni2P(0001). e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2009, 1-6
- HAYAMI, Wataru, OTANI, Shigeki. Effect of the Surface Energy on the Growth of Boron Nanocrystals. Journal of Physics: Conference Series. 2009, 012017-1-012017-7
- H. Yanagisawa, Y. Ishida, T. Tanaka, A. Uedo, OTANI, Shigeki, C. Oshima. Metastable BC3 honeycomb epitaxial sheets on the NbB2(0001) surface. SURFACE SCIENCE. 2006, 4072-4076
口頭発表
- 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法によるCrB2単結晶の育成. 第５０回人工結晶討論会. 2005
- 速水 渉, 大谷 茂樹. α正方晶型ホウ素の構造と電子状態の第一原理計算による研究. 日本物理学会第65回年次大会. 2010
- 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. ZrB2(0001)上Si超薄膜のフォノン. 第9回日本ホウ素ホウ化物研究会. 2013
特許
- 特許第4817099号 炭化物単結晶とその製造方法 (2011)
- 特許第4766375号 ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板 (2011)
- 特許第1936980号 硼化ランタン系単結晶とその育成法 (1995)
所属学会
応用物理学会 日本セラミックス協会 日本化学会
第二期開発予定
第二期開発予定