HOME > Presentation > Detail酸化物薄膜トランジスターに対する信頼性へのAl2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01界面の影響(Influence of Al2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01 interface on reliability for oxide thin film transistor)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. PCSI-45. January 14, 2018-January 18, 2018.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideTSUKAGOSHI, KazuhitoOHI, AkihikoIKEDA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-10-03 22:11:58 +0900 Updated at: 2018-06-05 14:13:31 +0900