Al2O3/n-GaN界面での伝導帯/価電子帯近傍の界面準位密度に関する研究
(Study of interface state density near conduction/valence band at Al2O3/n-GaN interface)
膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会. 2019年01月24日-2019年01月26日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2019-12-02 10:42:46 +0900 更新時刻: 2019-12-02 10:42:46 +0900