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硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面&バルク電子状態評価
(Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy )

井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012. 2012年10月14日-2012年10月19日.

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    作成時刻: 2017-02-14 11:38:52 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:10:58 +0900

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