1. Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe. Optical and electrical properties of nearly intrinsic GeSn wires on quartz fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization. Materials Science in Semiconductor Processing. 214 110862-110862-7. 2026. Open Access

1. HOSOI, Takuji. Novel Gate Oxide Formation Approach Using Low-Temperature NO Oxynitridation for SiC MOSFETs. 249th ECS Meeting. 2026. Invited
2. 染谷 満, 平井 悠久, 熊谷 直樹, 矢野 裕司, 磯部 高範, 細井 卓治, 渡部 平司. 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証. 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会. 2026.

2025

1. 志村 考功, HOSOI, Takuji, 小林 拓真, 渡部 平司. Optical Characteristics of Single-crystal GeSn Thin Wires Fabricated by Local Liquid Phase Crystallization. The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025). 2025. Invited
2. HOSOI, Takuji. SiO2/SiC interface engineering via low temperature NO oxynitridation of SiC surface feasible with Si device fabrication equipment. The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2025). 2025.
3. 香取 拓真, 細井 卓治. 低温NO酸窒化により形成した極薄SiO2/SiC界面特性評価. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025.
4. 森本 修太, 津田 龍之介, 細井 卓治. Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成. 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会. 2025. Open Access