HOME > 論文 > 書誌詳細Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure(AlN／ダイヤモンドヘテロ構造を用いたダイヤモンドトランジスタ)Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano. Diamond and Related Materials 24 206-209. 2012.https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.01.020 NIMS著者井村 将隆早川 竜馬渡辺 英一郎長田 貴弘廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-06-08 21:56:09 +0900更新時刻: 2024-05-02 09:09:09 +0900
