HOME > Presentation > DetailAlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ(Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure)井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩. 第72回応用応用物理学会学術講演会. August 29, 2011-September 02, 2011.NIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:30:24 +0900 Updated at: 2017-07-10 21:05:51 +0900