HOME > Presentation > DetailpチャネルAlN/Diamondヘテロ接合電界効果トランジスタ(p-Channel AlN/Diamond Heterojunction Field Effect Transistors )井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩, 松本翼, 山崎聡. 第31回電子材料シンポジウム. July 11, 2012-July 13, 2012.NIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:39:19 +0900 Updated at: 2017-07-10 21:22:56 +0900