HOME > Presentation > Detail原子層堆積法により成膜したアルミナゲート 表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価 (Electronic Properties of Surface Channel Diamond FET using Al2O3 Gate Prepared by Atomic Layer Deposition Method )井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩, 松本翼, 山崎聡. 第26回ダイヤモンドフォーラム. November 19, 2012-November 21, 2012.NIMS author(s)IMURA, MasatakaHAYAKAWA, RyomaOOSATO, HirotakaWATANABE, EiichiroTSUYA, DaijuLIAO, MeiyongKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:15:49 +0900Updated at: 2017-07-10 21:29:51 +0900