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原子層堆積法により成膜したアルミナゲート 表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価
(Electronic Properties of Surface Channel Diamond FET using Al2O3 Gate Prepared by Atomic Layer Deposition Method )
第26回ダイヤモンドフォーラム. 2012.
NIMS author(s)
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Created at: 2017-02-14 11:15:49 +0900Updated at: 2017-07-10 21:29:51 +0900