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原子層堆積法による水素終端ダイヤモンド上にAl2O3とHfO2の電子構造
(Electronic band structures of Al2O3 and HfO2 deposited by atomic layer deposition technique on hydrogenated diamond)

第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013.

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-02-14 11:36:06 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:35:06 +0900

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