HOME > 口頭発表 > 詳細h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET(Normally-Off High-Mobility Diamond FET with a h-BN Gate Insulator)著者笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 会議名2022年第69回応用物理学会春季学術講演会発表年2022言語Japanese
