HOME > Presentation > Detailh-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET(Normally-Off High-Mobility Diamond FET with a h-BN Gate Insulator)笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022. InvitedNIMS author(s)SASAMA, YosukeIMURA, MasatakaWATANABE, KenjiTANIGUCHI, TakashiUCHIHASHI, TakashiYAMAGUCHI, TakahideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2022-04-12 03:25:25 +0900Updated at: 2024-03-05 12:21:55 +0900