HOME > Presentation > DetailALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良(Improvement of ferroelectricity of HfxZr1-xO2 film using ALD-ZrO2 seed layer)女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 第64回応用物理学会春季学術講演会. March 14, 2017-March 17, 2017.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoIKEDA, NaokiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-19 04:38:52 +0900Updated at: 2017-07-10 22:35:13 +0900