HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs小出 康夫, 井村 将隆, 劉 江偉, 廖 梅勇, バナル ガニパン ライアン, 松元隆夫, 柴田直哉, 幾原雄一. ICDCM 2015. 2015年09月06日-2015年09月12日.NIMS著者井村 将隆劉 江偉廖 梅勇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:11:53 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:14:15 +0900
