TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性
(Electrical properties due to oxgen vacancy formation in Rutile-TiO2 films by TMA/H2O-ALD process)
第20回ゲート・スタック研究会. 2015年01月29日-2015年01月31日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:08:51 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:40:17 +0900