HOME > Presentation > DetailTMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性(Electrical properties due to oxgen vacancy formation in Rutile-TiO2 films by TMA/H2O-ALD process)山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. 第20回ゲート・スタック研究会. 2015.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoNAGAO, TadaakiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-02-14 11:08:51 +0900 Updated at :2018-06-05 13:40:17 +0900