h-BNを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの輸送特性
(Charge Carrier Transport in Diamond Field-Effect Transistors with h-BN Gate Dielectric)
日本物理学会2018年秋季大会. 2018年09月09日-2018年09月12日.
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作成時刻: 2018-09-28 19:27:06 +0900更新時刻: 2018-09-28 19:27:06 +0900