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h-BNを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの輸送特性
(Charge Carrier Transport in Diamond Field-Effect Transistors with h-BN Gate Dielectric)

著者笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀.
会議名日本物理学会2018年秋季大会
発表年2018
言語Japanese

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