HOME > Presentation > Detailh-BNを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの輸送特性(Charge Carrier Transport in Diamond Field-Effect Transistors with h-BN Gate Dielectric)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 日本物理学会2018年秋季大会. 2018.NIMS author(s)SASAMA, YosukeIMURA, MasatakaWATANABE, KenjiTANIGUCHI, TakashiUCHIHASHI, TakashiYAMAGUCHI, TakahideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-09-28 19:27:06 +0900Updated at: 2018-09-28 19:27:06 +0900