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著者名IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo.
タイトルElectrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere
会議名Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII
発表年2017
言語English
外部での文献参照

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