Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere
Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII. 2017年03月08日-2017年03月11日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-12-28 22:11:05 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:05 +0900