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固体電気二重層トランジスタを用いた水素終端ダイヤモンドのキャリア制御
(Tuning of Hole Carrier Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor)

著者髙栁 真, 土屋 敬志, 井村 将隆, 小出 康夫, Tohru Higuchi, 寺部 一弥.
会議名第28回日本MRS年次大会
発表年2018
言語Japanese

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