固体電気二重層トランジスタを用いた水素終端ダイヤモンドのキャリア制御
(Tuning of Hole Carrier Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor)
第28回日本MRS年次大会. 2018年12月18日-2018年12月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-09-27 10:08:10 +0900更新時刻: 2018-09-27 10:08:10 +0900