HOME > Presentation > Detail固体電気二重層トランジスタを用いた水素終端ダイヤモンドのキャリア制御(Tuning of Hole Carrier Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor)髙栁 真, 土屋 敬志, 井村 将隆, 小出 康夫, Tohru Higuchi, 寺部 一弥. 第28回日本MRS年次大会. 2018.NIMS author(s)TSUCHIYA, TakashiIMURA, MasatakaKOIDE, YasuoTERABE, KazuyaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-09-27 10:08:10 +0900Updated at: 2018-09-27 10:08:10 +0900