CVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ
(Field-effect transistor fabricated on a CVD-grown diamond with a h-BN gate insulator)
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024年03月22日-2024年03月25日.
NIMS著者
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作成時刻: 2024-04-02 03:14:39 +0900更新時刻: 2024-04-02 03:14:39 +0900