HOME > Presentation > DetailCVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ(Field-effect transistor fabricated on a CVD-grown diamond with a h-BN gate insulator)笹間 陽介, 岩崎 拓哉, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 山口 尚秀. 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会. March 22, 2024-March 25, 2024.NIMS author(s)SASAMA, YosukeIWASAKI, TakuyaIMURA, MasatakaWATANABE, KenjiTANIGUCHI, TakashiYAMAGUCHI, TakahideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2024-04-02 03:14:39 +0900Updated at: 2024-04-02 03:14:39 +0900