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Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, Ke Wang, 荒木努, 名西やすし.
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12). 2017年07月24日-2017年07月28日.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-12-27 22:06:23 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:53 +0900

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