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著者名Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Takahisa Ohno, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada, Yasuo Nara.
タイトルHafnium 4f Core-level Shifts Caused by Nitrogen Incorporation in Hf-based High-kGate Dielectrics
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 46 [6A] 3507-3509
ISSN: 13474065 00214922
発表年2007
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1143/jjap.46.3507
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