HOME > 会議録 > 書誌詳細FORMATION MECHANISM OF SIC IN C-SI SYSTEM BY ION IRRADIATION(Si-C系でのイオン照射によるSiCの形成機構)HISHITA, Shunichi, AIZAWA, Takashi, SUEHARA, Shigeru, HANEDA, Hajime. JAERI-Conf 2003-001 228-232. 2003.NIMS著者菱田 俊一相澤 俊末原 茂羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-27 00:24:56 +0900更新時刻: 2017-03-17 02:27:26 +0900
