SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

口頭発表の表示

著者名ZHANG, Kexiong, SUMIYA, Masatomo, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen.
タイトルInGaN/GaN Heterostructure p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor by using polarization-induced two-dimensional hole gas
会議名International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
発表年2016
言語English
外部での文献参照

▲ページトップへ移動