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InGaN/GaN Heterostructure p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor by using polarization-induced two-dimensional hole gas

著者ジャン クーシオン, 角谷 正友, 廖 梅勇, 小出 康夫, サン リウエン.
会議名International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
発表年2016
言語Japanese

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