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PチャネルInGaN/GaN ヘテロ構造金属酸化物半導体電界効果トランジスタ

著者サン リウエン, ジャン クーシオン, 角谷 正友, 廖 梅勇, 小出 康夫.
会議名応用物理学会春季学術講演会
発表年2016
言語Japanese

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