HOME > 口頭発表 > 書誌詳細PチャネルInGaN/GaN ヘテロ構造金属酸化物半導体電界効果トランジスタサン リウエン, ジャン クーシオン, 角谷 正友, 廖 梅勇, 小出 康夫. 応用物理学会春季学術講演会. 2016年03月19日-2016年03月22日.NIMS著者角谷 正友廖 梅勇小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:26:44 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:31:06 +0900
