HOME > Presentation > DetailPチャネルInGaN/GaN ヘテロ構造金属酸化物半導体電界効果トランジスタサン リウエン, ジャン クーシオン, 角谷 正友, 廖 梅勇, 小出 康夫. 応用物理学会春季学術講演会. 2016.NIMS author(s)SANG, LiwenSUMIYA, MasatomoLIAO, MeiyongKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:26:44 +0900Updated at: 2017-07-10 22:31:06 +0900