HOME > Presentation > Detail
PチャネルInGaN/GaN ヘテロ構造金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
応用物理学会春季学術講演会. March 19, 2016-March 22, 2016.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-02-14 11:26:44 +0900 Updated at: 2017-07-10 22:31:06 +0900