HOME > Presentation > Detail電圧印加硬X線光電子分光法によるReRAM:金属/HfO2界面の電子状態評価(Study of ReRAM-metal/HfO2 interface structure: a bias-application hard x-ray)長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010.NIMS author(s)NAGATA, TakahiroYAMASHITA, YoshiyukiYOSHIKAWA, HidekiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:22:44 +0900Updated at: 2017-07-10 20:52:44 +0900