ReS2/SiO2とReS2/hBN 電界効果トランジスタの電荷トラップとヒストリシス特性
(Charge Trapping and Hysteresis Behavior in ReS2/SiO2 and ReS2/hBN Field-Effect Transistors)
The 79th JSAP Autumn Meeting 2018. 2018年09月18日-2018年09月21日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-07-14 16:06:35 +0900 更新時刻: 2018-07-14 16:06:35 +0900