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ReS2/SiO2とReS2/hBN 電界効果トランジスタの電荷トラップとヒストリシス特性
(Charge Trapping and Hysteresis Behavior in ReS2/SiO2 and ReS2/hBN Field-Effect Transistors)

著者ビン ズルケフリ モハメド アミール, マッカージー バブル, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 若山 裕, 中払 周.
会議名The 79th JSAP Autumn Meeting 2018
発表年2018
言語Japanese

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