HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ReS2/SiO2とReS2/hBN 電界効果トランジスタの電荷トラップとヒストリシス特性(Charge Trapping and Hysteresis Behavior in ReS2/SiO2 and ReS2/hBN Field-Effect Transistors)ビン ズルケフリ モハメド アミール, マッカージー バブル, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 若山 裕, 中払 周. The 79th JSAP Autumn Meeting 2018. 2018.NIMS著者ビン ズルケフリ モハメド アミール渡邊 賢司谷口 尚若山 裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2018-07-14 16:06:35 +0900 更新時刻 :2018-07-14 16:06:35 +0900