HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FETバナル ガニパン ライアン, 井村 将隆, 劉 江偉, 小出 康夫. The Japan Society of Applied Physics Autumn Meeting, 2015. 2015.NIMS著者井村 将隆劉 江偉小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:37:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:13:45 +0900
