ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET
The Japan Society of Applied Physics Autumn Meeting, 2015. 2015年09月13日-2015年09月16日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:37:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:13:45 +0900