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High-mobility diamond field-effect transistors utilizing a hexagonal boron nitride gate insulator

SASAMA, Yosuke, IWASAKI, Takuya, MOHAMMAD, Monish, IMURA, Masataka, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide.
The 2nd International Conference on Advanced Functional Materials (ICAFM 2025 KATHMANDU). 2025年03月27日-2025年03月29日. 招待講演

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    作成時刻: 2025-04-22 03:07:02 +0900 更新時刻: 2025-04-22 03:07:02 +0900

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