HOME > 口頭発表 > 書誌詳細h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ(Normally-Off High-Mobility Diamond Transistor with a h-BN Heterostructure)笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021.NIMS著者笹間 陽介井村 将隆渡邊 賢司谷口 尚内橋 隆山口 尚秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-09-16 03:00:24 +0900更新時刻: 2021-09-16 03:00:24 +0900