Fixed Charge and Trap States in Ni/Al2O3/GaN MIS Schottky Barrier Diodes for Power Device
International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS) 2017. 2017年07月31日-2017年08月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-09-07 00:22:52 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:12:31 +0900