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| 著者名 | REN, Bing, LIAO, Meiyong, SUMIYA, Masatomo, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen. |
|---|---|
| タイトル | Fixed Charge and Trap States in Ni/Al2O3/GaN MIS Schottky Barrier Diodes for Power Device |
| 会議名 | International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS) 2017 |
| 発表年 | 2017 |
| 言語 | English |
| 外部での文献参照 |