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Fixed Charge and Trap States in Ni/Al2O3/GaN MIS Schottky Barrier Diodes for Power Device

著者任 兵, 廖 梅勇, 角谷 正友, 小出 康夫, サン リウエン.
会議名International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS) 2017
発表年2017
言語Japanese

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