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著者名REN, Bing, LIAO, Meiyong, SUMIYA, Masatomo, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen.
タイトルFixed Charge and Trap States in Ni/Al2O3/GaN MIS Schottky Barrier Diodes for Power Device
会議名International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS) 2017
発表年2017
言語English
外部での文献参照

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