HOME > 口頭発表 > 詳細Fixed Charge and Trap States in Ni/Al2O3/GaN MIS Schottky Barrier Diodes for Power Device著者任 兵, 廖 梅勇, 角谷 正友, 小出 康夫, サン リウエン. 会議名International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS) 2017発表年2017言語Japanese
