HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Interface trap characterization of Al2O3/GaN MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments任 兵, Jian Huang, SUMIYA, Masatomo, KOIDE, Yasuo, Ke Tang, LIAO, Meiyong, Linjun Wang, SANG, Liwen. IWN2018. 2018年11月11日-2018年11月16日.NIMS著者角谷 正友小出 康夫廖 梅勇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-03-04 10:09:00 +0900更新時刻: 2019-03-04 10:09:00 +0900
