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著者名任 兵, SUMIYA, Masatomo, Jian Huang, Ke Tang, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, Linjun Wang, SANG, Liwen.
タイトルInterface trap characterization of Al2O3/GaN MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments
会議名IWN2018
発表年2018
言語English
外部での文献参照

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