HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Interface trap characterization of Al2O3/GaN MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments任 兵, Jian Huang, SUMIYA, Masatomo, KOIDE, Yasuo, Ke Tang, LIAO, Meiyong, Linjun Wang, SANG, Liwen. IWN2018. 2018.NIMS著者角谷 正友小出 康夫廖 梅勇サン リウエンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-03-04 10:09:00 +0900更新時刻: 2019-03-04 10:09:00 +0900
