ZrO2 on hydrogenated-diamond: breakdown electric field, interfacial band configuration, and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET
第７６回応用物理学会秋季講演会. 2015年09月13日-2015年09月16日.
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作成時刻: 2017-01-08 04:23:53 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:11:42 +0900