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著者名UMEZAWA, Naoto, 白石賢二, OHNO, Takahisa, 渡部平司, CHIKYOW, Toyohiro, 鳥居和功, 山部紀久夫, 山田啓作, 北島洋, 有門経敏.
タイトルIntrinsic Effect of a Nitorogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics
会議名35th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference(SISC)
発表年2004
言語English
外部での文献参照

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